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QT-8400GaN 氮化镓测试系统
探索第三代半导体的无限可能

测试主机

GaN Test Kit

Power Device Test Kit

QT-8400 由测试主机与测试站 Test Kit 组成,
其中 Test Kit 分为两种:Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit
可根据需求进行选择
  • Power Device Test Kit

    面向 MOSFET/SIC、二极管、三极管等 CP 测试需求的 Power Device Test Kit.

  • GaN Test Kit

    面向氮化镓测试需求的 GaN Test Kit.

105cm
站姿键盘高度
75cm
坐姿键盘高度
创新标识设计
站坐快速切换
触动人心的
用户体验
8400机箱从人体工学设计出发针对设计公司、实验室和封测厂等不同环境场所,满足了用户站姿与坐姿不同状态下的键盘操作使用需求,我们设计了独有的指引标识线,能让用户快速的找到站立或坐姿时推荐的键盘高度,也可根据个人身高差异自行微调,极大提升了操作舒适性和效率。

* 已申请专利

创新标识设计
站坐快速切换
触动人心的
用户体验
8400机箱从人体工学设计出发针对设计公司、实验室和封测厂等不同环境场所,满足了用户站姿与坐姿不同状态下的键盘操作使用需求,我们设计了独有的指引标识线,能让用户快速的找到站立或坐姿时推荐的键盘高度,也可根据个人身高差异自行微调,极大提升了操作舒适性和效率。

* 已申请专利

105cm
站姿键盘高度
75cm
坐姿键盘高度
并行测试,效率倍增
支持 2/4/8/16 Site并行测试,满足客户对更高测试效率的需求。
测试需求,全方位覆盖
QT-8400 整机提供 20A/100A、1KV/2KV 的多site并测方案,支持扩展高压/直流模组,最高可达 8KV, 2000A,支持扩展雪崩、RGCG,动态 RDson 等动态参数测试模组,满足第三代半导体的测试需求。

QT-8400 GaN

QT-8400 D

测试范围

专用于氮化镓动静态电参数测试

测试范围

专用于 MOSFET/SIC 、二极管、三极管、IGBT等 CP测试。

参数指标

悬浮 V/I 源
电压 1KV/2KV
20A/100A;

参数指标

悬浮 V/I 源
电压1KV/2KV/3KV
20A/100A/200A

并行测试数

2/4/8/16 Site

并行测试数

2/4/8/16 Site

可扩展动态模组

LCR测试模组(CG)
动态 RDSON 模组(支持硬切和软切)

可扩展动态模组

雪崩测试模组(UIS、EAS)
LCR测试模组(RG、CG)

可扩展高压/直流模组

最高可扩展8KV, 2KA

可扩展高压/直流模组

最高可扩展8KV, 2KA

精准测量

GaN Test Kit内置精密测量电路,实现nA级和mΩ级的精准测量。

精准测量

Power Device Test Kit内置精密测量电路,实现nA级和mΩ级的精准测量。

板卡资源灵活搭配
我们的设备采用可插拔式板卡架构,允许您根据需求灵活搭配板卡,从而实现精准把控测试成本。
功能全面,满足各类需求
测试主机板卡均为四象限V/I源,配备AWG和示波器,功能全面,满足如 I-V 曲线等各类扫描测试需求。

内置示波器图

AWG编辑器
PTS OS 直观易用,
专为测试&生产而设计
我们对 QT-8400 PTS OS 软件界面全面优化,以提升实用性、美观性和易用性。极大提高测试开发、生产以及调试校准效率,使用户轻松上手高效操作。

* 已申请专利

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